A tranzisztorok fejlődéstörténete

Feb 07, 2026

Hagyjon üzenetet

1947. december 23-án a New Jersey állambeli Murray Hill-i Bell Labsban három tudós{2}}Dr. Bardeen, Dr. Brighton és Dr. Shockley{6}}intenzív, de módszeres összpontosítással végzett kísérleteket. Felerősítették a hangjeleket egy vezető áramkörön belüli félvezető kristályok segítségével. Megdöbbenésükre felfedezték, hogy a feltalált eszközük egyik részén átfolyó parányi áram egy másik részen átfolyó, sokkal nagyobb áramot képes szabályozni, így erősítő hatást kelt. Ez az eszköz volt a tranzisztor, úttörő vívmány a tudomány történetében. Mivel karácsony előestéjén találták ki, és olyan mély hatással volt az emberek jövőbeli életére, "karácsonyi ajándéknak a világnak" nevezték. Ez a három tudós közösen kapott 1956-ban a fizikai Nobel-díjat ezért a felfedezésért.

 

Egy új kutatás azt találta, hogy a megfelelő anyag rétegének lerakása a hordozóra a tranzisztor elektronkilépési pontján kívül félvezető -hűtött P-N szerkezetet képezhet. Mivel az N anyag elektronenergia-szintje alacsony, a P anyagé pedig magas, az elektronok átáramlásakor hőt kell felvenniük a szubsztrátumból, ami kiváló lehetőséget biztosít a hő elvezetésére a tranzisztor magjából. Mivel a leadott hő egyenesen arányos az áramerősséggel, ezt a technológiát átvitt értelemben "elektronikus vérhűtésnek" nevezik. A hozzáadott anyag polaritásától függően az új hűtőtranzisztorok neve N-PNP vagy NPN-P.

 

A tranzisztor előidézte és elősegítette a "szilárdtest-forradalmat", amely viszont előmozdította a globális félvezetőelektronikai ipart. Kulcsfontosságú elemként elsősorban a kommunikációs eszközökben alkalmazták, óriási gazdasági előnyöket generálva. Mivel a tranzisztor alapjaiban változtatta meg az elektronikus áramkörök szerkezetét, megjelentek az integrált áramkörök és a nagy-méretű integrált áramkörök, és valósággá tették a nagy-precíziós eszközök, például a nagy sebességű elektronikus számítógépek gyártását.

A szálláslekérdezés elküldése